بررسي و محاسبه كشش طولي در نانو نوار گرافين تك لايه

گرافین یكی از ساختارهای دو بعدی كربن است كه اتم های آن به صورت شش ضلعی قرار گرفته اند. از آنجا كه شكل ساختاری نانو نوار گرافین تعیین كننده خواص فیزیكی آن است، هرگونه تغییر در فاصله اتمی ساختار تاثیر زیادی در مقدار گاف نوار انرژی آن دارد. واضح است با استفاده این مكانیزم میتوان فشار سنج با دقت بسیار بالا ساخت همچنین این مكانیزم به عنوان سنسورهای پزشكی می تواند كاربرد داشته باشد. تحلیل هایی كه ما بر روی دو دستوارگی نانو نوار گرافین انجام دادهایم نشان میدهد كه هدایت الكتریكی و همچنین نوارهای انرژی EC و E V به شدت با تغییر فاصله اتمی پیوند كربن - كربن و همچنین عرض نوار تغییر می كند. این فاصله كه در حالت پایدار خود ۱/۴۲۰۸۶ آنگستروم می باشد، می تواند تا حدود ۳۰ درصد بیشتر شود. آزمایش های عملی كه در این رابطه انجام شده است نشان میدهد كه افزایش فاصله بیش از این میزان باعث گسستگی غیر قابل بازگشت در نانو نوار گرافین می شود. در این مقاله نتایج تحقیق و محاسبات نانو نوارهای گرافین تك لایه با دستوارگی آرمچر و عرض ۳ تا ۱۲ اتم، تحت كشش تا ۱۵ درصد به طور كامل از نظر گاف نوار انرژی مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است.