تاثير پرتوهاي گاما بر بلورهاي KBr و KCl رشد داده شده به روش چوخرالسكي

تك بلورهای KBr و KCl به روش چوخرالسكي رشد داده شدند. بلورهاي رشد داده شده بوسيله پرتو گاما با دزهاي 15 ، 20 ، 30 ، 40 ، 45 ، 60 و 100 در مقیاس KGy تابش يافته و تغييرات چگالي حك حفره هاي ناشي از سونش شيميائي هر يك از بلورها با يكديگر مقايسه شد. نتايج نشان مي دهد كه با افزايش در تابشي، چگالي حك حفره ها بيشتر شده و شدت جذب اپتيكي نيز افزايش مي يابد

KBr and KCl single crystals were grown by czochralski method. As grown crystals were irradiated by gammaray in various doses (15, 20, 30, 45, 60, 100 KGy) and the variation of etch pit density due to chemical etching was compared As a result, increasing the dose, the etch pit density and the peaks of absorption spectra increase