مطالعه انرژي گاف نواري و دنباله اورباخ لايه هاي نازك مورب سولفيد روي

The study of band gap energy and the Urbach tail of the tilted Zinc Sulfide thin films

در این تحقیق، وابستگی انرژی اورباخ به زاویه رشد و ضخامت لایه های نازك سولفید روی مورد مطالعه قرار گرفته است . نمودار گاف انرژی با استفاده از طیف عبور اپتیكی لایه ها رسم گردید. رفتار گاف انرژی با تغییر ضخامت و زاویه لایه ها بررسی شد. انرژی اورباخ با استفاده از لگاریتم ضریب جذب اپتیكی بر حسب انرژی فوتون محاسبه و وابستگی آن به ضخامت لایه و زاویه بررسی گردید. فرآیند لایه نشانی در زاویه های 0 و 80 درجه انجام گرفت نتایج بدست آمده نشان داد كه كمترین انرژی اورباخ مربوط به نمونه رشد داده شده در زاویه صفر درجه می باشد و مقدار آن 176/11 میلی الكترون ولت تخمین زده شد در نهایت رابطه گاف انرژی و دنباله اورباخ مورد بررسی قرار گرفت.

In this study, the dependence of Urbach energy to growth angle and thickness of Zinc Sulfide thin films was investigated. Band gap energy curve was drawn using the optical transmission spectrum. Band gap energy behavior with changing the thickness and angles of layers was investigated. Urbach energy value was calculated using logarithmic graph of the absorption spectrum versus the photon energy, and its dependence to thickness and angle of layer was studied. The deposition process of layers was done at angels of 0 and 80degree. The obtained results showed that the lowest the Urbach energy is related to the sample which prepared at 0 degree and it was estimated about 176.11 mev. Finally, the relation between energy band gap and Urbach tail was investigated