بررسي نظري تاثير فشار جزئي اكسيژن بر خواص ترابري الكتريكي لايه هاي نازك تك بلوري كپه اي ZnO:P

در این مقاله به بررسی نظری خواص ترابری الكتریكی لایه های تك بلوری كپه ای نیمرسانای اكسید روی آلایش یافته با اتمهای فسفر با در نظر گرفتن اثر سازوكارهای پراكندگی گوناگون پرداخته ایم. داده های تجربی گزارش شده نشان می دهد كه تغییر فشار اكسیژن در حین فرایند رشد تاثیر بسزایی بر خواص ترابرد الكتریكی این ماده داشته است. نتایج محاسبات ما حاكی از آن است كه این رفتارها عمدتا ناشی از تغییر در تراكمهای ناخالصی های ناخواسته و در رفتگیهای بلوری در این نمونه ها می باشد.

In this paper we have tried to analyze the electrical transport properties of the monocrystalline bulk ZnO thin film semiconductors doped by phosphorus atoms using the effect of various scattering mechanisms theoretically. The reported experimental data show that the variations in the oxygen partial pressure during the growth process have a considerable impact on the electrical transport properties of this material. Our data analyses show that these behaviors are mainly affected by the unintentional impurity and dislocation concentrations in these samples