رشد پلي سيليكون به روش انجماد جهت دار به منظور كاربرد در سلول فتو ولتايي

پلی سیلیكون به روش انجماد جهت دار رشد داده شد و ابعاد و جهت بلوردانه آن مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد كه برای بدست آوردن بلوری با كیفیت و خلوص مناسب، می بایست سرعت رشد نسبتا" كم باشد.

Polycrystalline of silicon was grown by directional solidification method and its grain size and directions was studied. As a result: obtaining of a qualified and purified crystal, growth speed must relatively be slow