تاثير فاصله زير لايه تا بوته بر مورفولوژي و خواص ساختاري نانو ساختارهاي SiO2 تهيه شده به روش تبخير حرارتي

نانو ساختارهای SiO2 بر روی زیر لایه سیلیكون (100) در دمای 1150 0C در فواصل 4 و 10 سانتیمتری از بوته به روش تبخیر حرارتی سنتز شدند. لایه ها توسط میكروسكوپ الكترونی رویشی (SEM) و نیز طیف های XRD و EDS مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج بدست آمده حاكی از آن است كه هر چند نمونه نزدیكتر به بوته به صورت لایه ای نازك با ساختار بسبلوری دو فازی و عاری از تخلخل است، نمونه دورتر به صورت لایه ای متخلخل و مملو از نانوسیم ها با قطری در حدود 100nm و طول چندین میكرون به صورت تك فاز رشد یافته است.

Silicon oxide nanostructures have been synthesized on Si (100) substrate by thermal evaporation at 1150 °C while 4 and 10 cm apart from the boat. The SiO2 nanostructures were characterized by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) spectra. According to these results we found while the sample closer to the boat is a two-phase polycrystalline thin film without any porosity, the farther one is a single phase film with packed nano-wires of 100 nm diameter and few microns length