بهينه سازي ساختار چهارلايه glass/Al/SnO2/PtMnSb/SnO 2 براي بكارگيري در حافظه هاي مغناطيسي

با glass/Al/SnO2/PtMnSb/SnO به عنوان لايه پوششي و مياني در ساختار 2 SnO چكيده – در اين مقاله اثر نيمهرساناي شفاف 2 استفاده از يك روش ماتريسي مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج نشان دادند كه با طراحي مناسب ميتوان به چرخش كر حدود درجه، ضريب كيفيت بالا و بيضيگونگي صفر دست پيدا كرد. بهينهسازي اين ساختار از ديدگاه صنايع ذخيرهسازي نوري مورد توجه است. با استفاده از شبيهسازي عددي نشان داديم كه در شرايط بهينه پارامترهاي مربوط به بازخواني اطلاعات نسبت به پارامترهاي طراحي رفتار نرمي دارند كه از نقطه نظر مشكلات معمول در فرايند ساخت قطعه مطلوب است. كليد واژه -