زمان تونل زني قطبيده اسپيني در سدهاي تكي و دوتايي از نيمرساناي مغناطيسي رقيق II-IV

Spin-polarized tunneling time in single and double II-IV diluted magnetic semiconductors barriers

در اين مقاله، زمان تونل زني وابسته به اسپين در دو نمونه نانو ساختار نامتجانس سه لايه اي و پنج لايه اي متشكل از ZnSe / ZnMnSe تحت تاثير ميدان هاي الكتريكي و مغناطيسي به طور نظري بررسي و مقايسه مي شوند. لايه هاي ZnMnSe در حضور ميدان مغناطيسي به صورت فيلتر اسپيني عمل مي كنند. بنابراين زمان تونل زني رفتار متفاوتي را در عبور از دو ساختار مذكور نشان مي دهد. زمان تونل زني براي الكترونها به انرژي فرودي، مقدار ميدان خارجي و جهت گيري اسپين الكترونها وابسته است. نتايج بدست آمده از اين مقاله مي تواند در طراحي و ساخت وسايل الكترونيكي سرعت بالا مفيد واقع شود.

In this paper, we investigate spin-dependent tunneling time in two typical heterostructures samples; three and five diluted magnetic semiconductors (DMSs) ZnSe / ZnMnSe with including the electric and magnetic fields. In the magnetic field, the band energy of DMS is splited, which the spin filter phenomenon occurs. Our numerical results show different tunneling time in two structures. Also, they show the complicated oscillation and significant spin separation for electrons with different spin orientation travelling within the same heterostructures. The results may be useful in designing the spintronics devices.