ارائه يك مدل تحليلي با دقت بالا جهت تعيين مشخصه هاي جريان- ولتاژ براي ادوات AlmGa1-m/GaN MODFET

An Accurate Analytical Model for Current-Voltage Characteristics of AlmGa1-m/GaN MODFETs

در اين مقاله يك مدل تحليلي دقيق براي بدست آوردن مشخصه هاي جريان- ولتاژ ادوات AlmGa1-m/GaN MODFET ارائه شده است. در مدل پيشنهادي تغييرات چگالي بار سطح مشترك در اثر تغييرات ولتاژ درين در نظر گرفته شده است. همچنين تغيير جريان درين پس از اشباع و مقاومت هاي پارازيتي سورس و درين در مدل گنجانده شده و براي قابليت تحرك الكترون در ميدانهاي پايين يك رابطه وابسته به ولتاژ گيت بكار رفته است. نزديكي نتايج حاصل از مدل و نتايج عملي موجود دقت بالاي مدل پيشنهادي را تاييد مي نمايد.

In this paper, an accurate analytical model for current-voltage characteristics of AlmGa1-m/GaN modulation doped field effect transistor devices is presented .In proposed model, variation of sheet carrier concentration caused by drain to source voltage is considered. Variation of drain current after saturation, parasitic resistance of drain and source are contained in the model and gate to source dependant is utilized for the low field mobility. The agreement between the result of model and experimental result validate the proposed analytical model