اثر نقص هاي استون-ولز و تهي جاي بر رسانش نانو لوله هاي كربني

The effect of Stone-Wales and vacancy defects on the conductance of carbon nanotubes

در اين مقاله به بررسي اثرات نقص هاي استون-ولز و تهي جاي روي رسانش الكتريكي نانو لوله هاي تك ديواره كربني پرداخته ايم. رسانش نانو لوله ها در فرمول بندي ترابرد همدوس با هاميلتوني بستگي قوي تك نواري و توابع گرين سطحي و محاسبه ماتريس هاي انتقال بروش تكرار صورت پذيرفته است. براي درنظر گرفتن اثرات مغناطيسي مربوط به نواقص تهي جاي هاميلتوني كانال به كمك مدل ميدان موثر هابارد به روش حل خود-سازگار محاسبه شده است. اثرات پراكندگي الكترون توسط اين نواقص در كانال به دليل تداخل امواج الكتروني عموماً سبب كاهش جريان هاي عبوري از كانال مي شود و اثرات مغناطيسي در كانال نيز سبب جدايي كوچكي بين جريان هاي اسپيني مي شود كه اين قطبيدگي با مغناطش ايجاد شده در كانال متناسب است.

The influence of topological defects (Stone-Wales and vacancy) on the electric conduction of single wall carbon nanotubes is studied with the Landauer formalism for the coherent transport. The method is based on the singleband tight-binding Hamiltonian, surface Green’s function formalism and the iterative calculation for transfer matrix. The mean-field Hubbard model was used for calculation of magnetic properties of vacancy. Including the defects along the channel will cause scattering of electrons and decreases the current. Also, the current is spinpolarized due to the magnetic behavior of vacancy.