شماره ركورد كنفرانس :
3232
عنوان مقاله :
خواص نوري، ساختاري و مورفولوژي نانو ساختار لايه نازك ZnO در ساختار چند لايه اي ZnO/Al2O3/SiO2 لايه نشاني شده توسط روش كندوپاش RF
عنوان به زبان ديگر :
Optical , structural and morphological properties of ZnO nanostructural thin films in ZnO/Al2O3/SiO2 multilayer deposited by RF sputtering
پديدآورندگان :
كبيري عامري ابوترابي شيده دانشگاه تهران - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - آزمايشگاه نانو رونيك ولايه هاي نازك , خزامي پور نسرين دانشگاه تهران - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - آزمايشگاه نانو رونيك ولايه هاي نازك , اصل سليماني ابراهيم دانشگاه تهران - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - آزمايشگاه نانو رونيك ولايه هاي نازك , مهاجر زاده شمس الدين دانشگاه تهران - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - آزمايشگاه نانو رونيك ولايه هاي نازك
كليدواژه :
خواص نوري , نانو , لايه نازك ZnO , لايه نشاني , روش كندوپاش RF
سال انتشار :
مرداد 1388
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۸
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
لايه هاي نازك اكسيد روي (ZnO) بر روي زير لايه هاي PET كه از پيش با ساختار چند لايه اي Al2O3/SiO2 پوشانده شده ، توسط روش كندو پاش RF در حضور پلاسماي آرگون ، در توانهاي RF مختلف ، لايه نشاني گرديده و ساختار كريستالي، مورفولوژي سطح، عبور نوري لايه ها در ناحيه مرئي به ترتيب توسط آناليزهاي: SEM , XRD و طيف سنجي UV/VIS/IR بررسي شده است. نتايج نشان مي دهد كه رشد لايه ها در جهت كريستالي ( 002 ) بوده و متوسط عبور نوري لايه ها بالاي 85 % است . با افزايش توان عبور نوري لايه هاي اكسيد روي در ناحيه مرئي و شدت كريستالي لايه ها افزايش مي يابد. انرژي نوار ممنوعه نوري بين (ev)3/39-3/31 در توانهاي مختلف RF تغيير مي كند.
چكيده لاتين :
ZnO thin films are deposited on PET substrates by RF sputtering in argon atmosphere. PET substrates coated with Al2O3/SiO2 multilayer. Optical structural and morphological properties of ZnO thin films deposited with different RF power are investigated using UV/Visible spectrophotometer, X-Ray Diffractometer and scanning electron microscopy (SEM) respectively. Results show ZnO thin films have (002) preferred Orientation and crystallinity and average transmittance in the visible region(>85%) increased with increasing RF power. Optical band gap energy varied between 3.29-3.31 ev at different RF power.
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
463
تا صفحه :
466
لينک به اين مدرک :
بازگشت