خواص ترابرد الكترونهاي داغ در حالت پايدار در نيمرساناي ZnO

Hot Electron Transport Propreties in Steady-State in ZnO

با استفاده از شبيه سازي آنسامبلي مونتكارلو ، سرعت سوق الكترونها در ماده نيمرساناي ZnO در مقايسه با GaN محاسبه شده است . اين شبيه سازي بر اساس مدل سه درهاي بوده و اثرات غيرسهوي بودن نوارها نيز منظور شده است . هم چنين در اين شبيه سازي عوامل مختلف و پراكندگي الكترونها از فونونها و اتم هاي ناخالصي در نظر گرفته شده است. مشخصه- هاي ترابرد الكترونها در نيمرساناي ZnO نشان مي دهد كه ماكزيمم سرعت سوق الكترون ها در اين ماده از مرتبه (فرمول در متن اصلي موجود مي باشد) در ميدان شكستي از مرتبه(فرمول در متن اصلي موجود مي باشد) است . سرعت سوق و ميدان شكست بالا در ZnO كاربردهاي اين ماده در طراحي قطعات الكترونيكي در توان ها و دماهاي بالا را پيشنهاد مي كند.

The result of an ensemble Monte carlo simulation of electron drift velocity respons on the application field in bulk ZnO and GaN are presented All dominant scattering mechanisms in the structure considered have been taken into account. It is found that electron velocity overshoot only occurs when the electric field is increased to a valve above a certain critical field.the Maximum electron velocity in ZnO is about 105ms-1 at the break down electric field of 107vm-1 our steady-state results are I fair agreement with other recent calculation.