طراحی و ساخت ترانزیستور اثر میدان مبتنی بر اكسید گرافن

پديدآورندگان

حسن حاج قاسم , علیرضا عرفانیان , احمد مولایی راد

كليدواژه

Reduced Graphene Oxide , Back gate FETs , Suspension , SEM , V , shaped ambipolar

كشور

ايران

نويسنده

سعيد معصومي

كلمات كليدي

Reduced Graphene Oxide; Back gate FETs; Suspension; SEM; V-shaped ambipolar

لينک به اين مدرک