شماره ركورد كنفرانس :
3232
عنوان مقاله :
لايه نشاني و مطالعه خواص ساختاري، الكتريكي و نور- رسانايي سيستم لايه نازك آلياژي Sn1-xAlxS2-2y O2y به روش اسپري پايروليزيز
عنوان به زبان ديگر :
Deposition and study of the structural and electrical properties of the Sn-x Alx S2-2y 02v alloys thin film system by spray pyrolysis
پديدآورندگان :
محرمي فاطمه دانشگاه علوم پايه دامغان - دانشكده فيزيك - آزمايشگاه تحقيقاتي حالت جامد , باقري محققي محمد مهدي دانشگاه علوم پايه دامغان - دانشكده فيزيك - آزمايشگاه تحقيقاتي حالت جامد , كتابي احمد دانشگاه علوم پايه دامغان - دانشكده فيزيك - آزمايشگاه تحقيقاتي حالت جامد , حسن زاده مريم دانشگاه علوم پايه دامغان - دانشكده فيزيك - آزمايشگاه تحقيقاتي حالت جامد
كليدواژه :
لايه نشاني , روش اسپري پايروليزيز , لايه هاي نازك آلياژي نيمرساناي اپتيكي
سال انتشار :
مرداد 1388
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۸
چكيده فارسي :
در اين تحقيق، لايه هاي نازك آلياژي نيمرساناي اپتيكي Sn1-xAlxS2-2y O2y با استفاده از يك محلول آبي- الكلي شامل كلريد قلع، نيترات آلومينيوم و تيوره بر روي زيرلايه هاي شيشه اي در دماي 500درجه سانتيگراد به روش اسپري پايروليزيز تهيه شدند. سپس اثر تغيير غلظت عناصر آلومينيوم و گوگرد برروي خواص ساختاري و الكتريكي مورد مطالعه قرار گرفتند. آناليز ساختاري لايه ها توسط پراش پرتو –(x (XRD و مورفولوژي سطحي لايه ها به وسيله ميكروسكوپ الكتروني روبشي 900-400 مطالعه شد، كه با توجه به اين داده ها مقادير گاف انرژي2ev ، 3،8 -4تعيين شد. چگالي و نوع حاملها نيز به روش هال انجام شد.
چكيده لاتين :
The Sn1-A1x S2-2y Ozy alloys thin film deposited by spray pyrolysis on glass substrate, from solutions containing tin chloride (SnC14.5H2O), aluminum nitrate and thiourea. The film deposition were carried at a substrate temperature of 500° C. In this work, we have researched the effect of Al 3+ and sulphur impurities on the structural and electrical properties. The structural properties have been determined by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy (SEM). Optical characterization of the films have been done using UV-Vis spectrophotometer in the wavelength range 400-900nm. The absorption spectra of the films showed that energy band gap values varied between 3.8-4.2eV. The carriers concentration and carriers type determined by Hall Effect.
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
371
تا صفحه :
374
لينک به اين مدرک :
بازگشت