شبيه سازي تغيير شاخص ضريب شكست در ليزرهاي نقطه كوانتمي InGaAs/GaAs مبني بر پهن شدگي ناهمگن و واهلش حامل

Simulation of the refractive index change in InGaAs/GaAs quantum dot lasers based on the inhomogeneous broadening and carrier relaxation

اين مقاله بررسي تغيير شاخص ضريب شكست با اثر پهن شدگي ناهمگن بهره نوري در ليزرهاي نقطه كوانتمي را ارائه مي دهد مشخصات ديناميكي و استاتيكي ليزرهاي نقطه كوانتمي InGaAs/GaAs را بطور عددي با استفاده از روش رانگ-كوتا مرتبه چهار شبيه سازي مي كنيم. اثرهاي افت خيز اندازه نقاط ( مربوط به پهن شدگي ناهمگن) و واهلش حامل در تغيير ضريب شكست ليزر بحساب آورده مي شوند همچنين نتايج شبيه سازي ها نشان مي دهند كه در ناحيه انرژي بين پيك گسيل پايه و برانگيخته، تغيير ضريب شكست داراي كمترين مقدار است و فاكتور افزايش پهناي خط در هر پيك بطور مجزا صفر است.

This paper present analysis of the refractive index change in quantum dot lasers with effect inhomogeneous broadening of optical gain.We simulate the static and dynamic-characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot lasers numerically with using fourth order Runge-Kutta method.The effects of size fluctuation (due to inhomogeneous broadening) and carrier relaxation on the refractive index change of laser are taken into account.Also, The simulations result show that in the energy region between the ground and excited emission peaks the change in the refractive index is minimum, and the linewidth enhancement factor is zero at each peak separately.