ترابرد كوانتومي حامل ها در يك نانوماسفت

Carrier Quantum Transport in a Nano MOSFET

در اين مقاله ترابرد كوانتومي حامل ها را در يك نانوماسفت GaAs/ AlGaAs با طول كانال 100 نانومتر و عرض 20 نانومتر با در نظر گرفتن يك موج كوانتومي براي حامل ها مورد مطالعه قرار داده و ترازهاي انرژي حامل ها بر حسب ولتاژ دريچه و همچنين دامنه ي موج عبوري بر حسب انرژي جنبشي حامل ها را محاسبه و رسم كرده ايم.

In this article we have studied the quantum wave transport of carriers in a GaAs/ AlGaAs MOSFET with channel length and with of 100nm and 20nm respectively regarding a quantum wave for carriers. We calculated and plotted the energy sublevels of carriers versus different gate voltages and amplitude of transmitted wave as a function of kinetic energy.