محاسبه ساختار نوار ظرفيت سيليكان و ژرمانيوم با لحاظ ناهمسانگردي و ناسهمي گوني

Valence bands calculation of Silicon and Germanium including non-parabolicity and anisotropy

ما در اين مقاله با درنظر گرفتن ناهمسانگردي وناسهمي گوني، ساختار نوار ظرفيت سه گانه Si و Ge را در جهت هاي مختلف [ 100 ] و [ 111 ] محاسبه و رسم كرديم. نشان داده ايم كه بيشترين اختلاف بين انرژي حفره سنگين و سبك براي Si و Ge در جهت [ 111 ] را با بيشترين مقدار تابع زاويه اي (ϴΦ) g براي (Si، 0،6822 و براي Ge ، 0،8504) و كمترين اختلاف در جهت [ 100 ] را با كمترين تابع زاويه اي (براي Si و 0,1848 و براي Ge 0,6338 )

In this article we calculated and plotted three different valence bands of Si & Ge regarding anisotropy and nonparabolicity in different directions of [100] and [111]. We showed that the maximum difference between heavy hole energy and light hole energy for Si & Ge in [111] direction with maximum angular function (0.6822 for Si and 0.8504 for Ge ), and minimum difference in [100] direction with minimum angular function (0.1848 for Si and 0.6338 for Ge ).