مقاومت ديفرانسيلي منفي در ساختار ناهمگون GaAs/AlxGa1-xAs

Negative differential resistance in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure

در اين مقاله نشان داده ايم كه ميدان الكتريكي موازي آستانه براي بروز پديده مقاومت ديفرانسيلي منفي (NDR) بيشينه چگالي جريان درساختار GaAs/AlGaAs به وسيله تحرك پذيري حامل ها و ميزان آلايش كنترل ميشود. محاسبات ما نشان ميدهد كه ميدان آستانه NDR براي ارتفاع سد 0/1ev و غلظت (فرمول در متن اصلي موجود مي باشد) حدود 3/5KV/cm مي باشد كه با نتايج تجربي توافق خوبي دارد.

We have shown that the threshold parallel electric field onset of negative differential resistance(NDR) and the maximum current density in GaAs/AlGaAs structure, are controlled by barrier height, carrier mobility and doping rate. Our calculations show that the threshold electric field onset of NDR, for barrier height of 0.1 ev and electron density of 8×1016m−2 is about 3.5KV/cm which is in good agreement with experimental data(3.4KV/cm).