بررسي بستگي دمايي مقاومت طولي در آستانه گذار فلز- عايق گاز حفره اي دو بعدي در ساختاردور آلاييده دريچه دار p-Si/SiGe/Si

Study of the temperature dependence of longitudinal resistivity around the metal – insulator transition of two dimensional hole gas in the gated p-Si/SiGe/Si modulation doped structure

در اين مقاله وابستگي دمايي مقاومت طولي ρ گاز حفره اي دو بعدي (2DHG) در ساختار دور آلاييده دريچه دار p- Si/SiGe/Si براي دانسيته هاي حفره اي مختلف ns حوالي دانسيته بحراني nc، درگستره دمايي 1 تا 5 كلوين مورد تجزيه و تحليل قرار گرفت. در اين وابستگي دمايي، توان تابع نمايي در دو فاز فلزي و عايق مختلف العلامه اند. اين نتيجه و برازش نظر ي نتايج تجربي در توافق با نتايج قبلي و كانالهاي مشابه مي باشد.

In this paper, the temperature dependence of longitudinal resistivity ρ, of two dimensional hole gas(2DHG) in the gated p-Si/SiGe/Si modulation doped structure has been analyzed for different densities ns around the critical density nc in 1-5 °K temperature range. In this temperature dependence , the power of exponential function has different signs in both metallic and insulating phases. This result and theoretical simulation of experimental results are in agreement with previous results and thatof similar channels.