شبيه سازي مونت كارلو براي انتقال الكترون در ديود ZnO n+nn+ با ابعاد زير ميكرون

Monte Carlo simulation of electron transport in submicrometer n+nn+ ZnO structure

شبيه سازي آنسامبلي مونت كارلو براي مطالعه انتقال نيمه بالستيك الكترونها در ديود ZnO ، n+nn به كار برده شده است. در اين شبيه سازي، حركت فضايي الكترونها نيمه كلاسيك مي باشند و مكانيزم هاي پراكندگي در نظر گرفته شده، ناشي از پراكندگي فونون آكوستيكي، فونون اپتيكي قطبي، فونون اپتيكي غير قطبي و ناخالصي يونيزه شده مي باشد و نتايج شبيه سازي مونت كارلو در دماها و ولتاژهاي مختلف گزارش داده شده است.

Monte Carlo simulation is performed to study quasi-ballistic transport of electrons in n+nn+ ZnO diode. In this simulation, the spatial motion of the electrons is semi classical and the scattering mechanisms taken into account are those due to acoustic phonons, non-polar optical phonons, polar optical phonons and ionized impurities. The simulation results are reported for different temperatures and voltages.