بررسي نظري خواص الكترونيكي پيزوالكتريك Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسيل كامل امواج تخت تقويت شده خطي

در اين مقاله برخي خواص الكترونيكي تركيب Ca3TaGa3Si2O14 (CTGS) در فاز هگزاگونال و گروه فضايي P321 و ثابت هاي شبكه (a=8.1056(2) Å ,c=4.9800(1) Å ,z=1)بدست اورده شده است.از جمله اين خواص مي توان به چگالي ابرالكتروني، ساختار نواري و چگالي حالت ها اشاره كرد كه اشكال هر مورد گنجانده شده است. براي تهيه اين خواص از كد محاسباتي Wien2k استفاده شده است. محاسبات اين كد با بكارگيري تقريب شيب تعميم يافته ( GGA ) و روش پتانسيل كامل به همراه امواج تخت تقويت شده خطي FL_LAPW در چارچوب نظريه ي تابعي چگالي DFT بوده است. بررسي چگالي كل تركيب و ساختار نواري نشان مي دهد كه گاف نواري آن غيرمستقيم بوده و برابر 4/1v مي باشد.