شماره ركورد كنفرانس :
3216
عنوان مقاله :
بررسي كمي تأثير بازتابندگي سطحي بر چگالي جريان اتصال كوتاه در سلول هاي خورشيدي سيليكوني با و بدون نانو تخلخل هاي سطحي
عنوان به زبان ديگر :
A quantitative study of surface reflectivity effect on short circuit current density in silicon solar cells with and without nano-porous surface
پديدآورندگان :
صالحي نسرين دانشگاه صنعتي شاهرود - دانشكده فيزيك , عشقي حسين دانشگاه صنعتي شاهرود - دانشكده فيزيك , هونگ چين اوي دانشگاه مالايا
كليدواژه :
بازتابندگي سطحي , چگالي جريان اتصال كوتاه , سلول هاي خورشيدي سيليكوني , نانو , تخلخل هاي سطحي , سطح متخلخل , ابعاد نانو متري
سال انتشار :
شهريور 1386
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۶
چكيده فارسي :
نتايج تجربي حاكي از آنند كه سلول هاي خورشيدي سيليكوني با سطح متخلخل ( در ابعاد نانو متري ) در مقايسه با قطعات عادي ( بـدون تخلخـل ) از چگـالي جريـان اتصال كوتاه بزرگتري برخوردارند . به منظور پيدا كردن علت اين مشاهدات از مدل نظري استفاده نموديم . نتايج حاصل از آناليز نشانگر آن است كه ايـن مـدل بـراي نمونه هاي متخلخل و عادي تطابق بسيار خوبي با داده هاي تجربي داشته و وجود نانو تخلخل هاي سطحي ، كه به كاهش بازتابندگي نور مـي انجامـد، علـت اصـلي افزايش چگالي جريان در اين قطعات ارزيابي مي شود.
چكيده لاتين :
Experimental data show that silicon solar cells covered with a nano-porous layer have a higher short circuit current density compared to non-porous (conventional) devices. In order to find the reason for these observations we used a theoretical model. Our outcome results matches very well with experimental data both in conventional and porous cells and the presence of nano-porous layer at the top surface, that reduces the light reflectivity, is the main cause for the higher current density in these devices
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
5
از صفحه :
1
تا صفحه :
5
لينک به اين مدرک :
بازگشت