تاثير نقص بلوري Stone-Wale بر روي خواص الكتروني كربن نانو تيوب زيگزاگ تك ديواره ( 10,0)

The effects of Stone-Wale defects on electronic properties of a (10,0) zigzag single-walled carbon nanotube

در اين مقاله نقش نقص S – W D ) Stone – Wale )در كاهش گاف انرژي كربن نانو تيوب تك ديواره (SWCNT ) بررسي شده است . سه نوع نقصStone – Wale درنظر گرفته شده است . در نوع اول هفت ضلعي S – W Dنسبت به محور نانوتيوب 60 ساعتگرد چرخيده است . در نوع دوم S – W D در جهت محور نانوتيوب است . در نوع سوم هفت ضلعي S – W D نسبت به محور نانوتيوب 60 0 پاد ساعتگرد چرخيده است . دريافتيم كه در درصدهاي پايين S – W D نوع دوم بيشتر از نوع اول و سوم باعث كاهش بيشتر گاف انرژي مي شود . اما در درصدهاي بالاي S – W D هر سه نوع در كاهش گاف انرژي داراي نقش تقريبا يكساني هستند . با ايجاد S – W D مي توان گاف انرژي نانو لوله هاي كربني نيمه رسانا را كنترل كرد .

Role of Stone-Wale defects (S-WD) in the reduction of semiconducting energy gap of zigzag single wall carbon nano tubes is investigated. Three type of Stone-Wale defects are considered. Type one Stone-Wale defect, where S-WD heptagons 60o are rotated with respect to the nano tube axis in the clockwise. Type two where heptagons of S-WD are in the nano tube axis direction. Type three Stone-Wale defect, where the S-WD heptagons 60o are rotated anticlockwise with respect to the nano tube axis. We found at low S-WD concentrations, type two defect is reduces the energy gap much more than type one defect, hence type two defect play main role in this case. While at high S-WD concentrations, both type of defects have same contribution in the reduction of energy gap approximately. By creating S-WDs in the semiconducting single wall carbon nano tubes the energy gap could be control by defects concentration