بررسي اكسايتون ها در چاه هاي كوانتومي دوگانه AlxGa1-xN/GaN

Study of Excitons in AlBxBGaB1-xBN/GaN double quantum wells

در اين مقاله به بررسي اكسايتونهاي مستقيم و غير مستقيم در ساختار چاه كوانتومي دوگانه AlxGa1-xN/GaN پرداخته شده است . انرژي بستگي اكسايتوني(Binding Energy) با تغيير پارامترهاي موثر در ساختار مانند عرض سد پتانسيل و درصد آلمينيوم نمونه ( عمق چاه ) محاسبه شده است . همچنين اثر ميدان الكتريكي روي انرژي بستگي اكسايتونهاي اين ساختار مطالعه شده است و نتايج محاسبات نشان مي دهد با افزايش ميدان انرژي بستگي كاهش مي يابد كه بيانگر تبديل اكسايتونهاي مستقيم به غير مستيم است .

Exciton binding energy in AlBxBGaB1-xBN/GaN double quantum well in absence and present of electric field has been studied. The Exciton binding energy in these structures can be controlled by varying the width of the barrier and Al Alloy composition(x) (barrier high).Our calculation shows that in AlGaN/GaN DQW by incrising the electric field excitons crossover from direct to indirect form