طراحي و بهينه سازي آشكارسازهاي نوري مادون قرمز چاه كوانتومي براي مادهGaAs / Ga0.51 In0.49 P در ناحيه طيفي 3-5 µm ودر دماي77 درجه كلوين

Design and Optimization of Quantum Well Infrared Photodetector for GaAs Ga In P 0.51 0.49 / material in 3-5μm Spectral range and in the Temperature of 77k

آشكارساز نوري مادون قرمزچاه كوانتومي GaAs/Ga0.51In0.49P در ناحيه طيفي 3-5 µ m از تحريك نوري الكترون از حالت پايه به اولين حالت برانگيختـه در نـوار هدايت چاه كوانتومي استفاده مي كند . ساختار چاه كوانتومي چنان طراحي مي شود كه حاملهاي تحريك شده بتوانند از چاه خارج شده و بـه عنـوان جريـان نـوري جمـع آوري شوند . با انجام محاسبات ضخامت چاه را 96 Åو مقدار0.51 ، x به دست مي آوريم . همچنين با در نظر گرفتن آلايش در حدود 6,10 (1/ cm)مقدار آًشكارپذيري تقريبا4,109 cm Hz / w در دماي 77 كلوين به دست مي آيد .

Quantum well infrared photodetectors GaAs/Ga0.51In0.49P that are shown and pointed in this research, use electron photoexcitation from steady state to the first excited state in conduction band. The structure of the quantum well is designed such that excited carriers can escape from the well and collected as photocurrent. The thickness of the well and x are computed 96Ả and 0.51respectively , also we seem doping about 6,1017 (1/ cm3 ) , and amount of detectivity is computed about 4,109 cm Hz / w at 77K