بررسي اثر كاشت ناخالصي آرسنيك بر روي نيمه هادي سيليسيم بعد از اكسيداسيون گرمايي

Studying of the Effect of As Implanted into Si Crystal after Thermal Oxidation

در اين مقاله با استفاده از ميكروسكوپ نيروي اتمي (AFM ) ، تأثير ناخالصي آرسنيك (As) با دز هاي مختلف كه با روش كشت يوني در ويفرهاي سيليسيم تك بلور (100) ، كاشته شده است، بعد از اكسيداسيون گرمايي سيليسيم در تغييرات مورفولوژي سطح فصل مشترك اكسيد - نيمه رسانا مطالعه شده است . همچنين تأثير بازپخت حرارتي بعد از مرحله اكسيداسيون در خواص الكتريكي و منحني ولتاژ - جريان (I-V) مورد مطالعه قرار گرفته است . علاوه بر اين ايجاد لايه بلوري و غني از Asدر فصل مشترك اكسيد – نيمه رسانا با استفاده از تكنيكRBS-Channeling بررسي شده است.

In this paper we investigate the effect of As implantation into Si crystal after thermal oxidation on the morphology of SiO2-Si interface by using Atomic Force Microscope (AFM). The As ions were implanted in Si(100) single crystal with different doses. Also, we study the effect of heat treatment after oxidation on the electrical properties of SiO2-Si structure by I-V method. The formation of enriched layer of As in SiO2-Si interface is studied by means of RBS-Channeling technique