تأثير ناخالصي اكسيژن بر گاف انرژِي كالكوژنيدهاي باريم

Effect of oxygen impurity on band gap of barium chalcogenides

ويژگيهاي الكتروني كالكوژنيدهاي باريم در فاز NaCl با بكارگيري روش موج تخت بهساخته خطي با پتانسيل كامل ( FPLAPW )برر سي شد . محاسبات حاكي از آن است كه يك رابطه خطي متفاوتي بين گاف انرژي و عكس مجذور ÷ ارامتر شبكه تعادلي براي تركيبات اكسيژن دار و بدون اكسيژن مشاهده مي شـود . گـاف انرزي اين تركيبات به استثناي BaO ، متناسب با عكس مجذور پارامتر شبكه تعادلي است . خواص الكتروني تركيبات اكسيژن دار از قاعد ه متفاوتي نسبت به ديگر تركيبات پيروي مي كند . اين اختلاف ناشي از تفاوتي است كه در ويژگيهاي پيونديBa-O با ساير پيوندها وجود دارد.

Electronic properties of barium chalcogenide compounds in Nacl structure are calculated using the band structure results obtained through the full potential linearized augmented plane wave method. Different linear relationships are observed between theoretical band gap and 1 /a2 (where a is lattic constant) barium chalcogenides containing oxygen and not containing oxygen, respectively. An abnormal behavior of electronic properties are found for compounds containing oxygen. The effects are attributed to the special properties of Ba-O bonds, which is different from other chemical bonds between barium and chalcogen atoms