ترابرد الكتروني در نانو ساختارهاي مغناطيسي با دو سد پتانسيل و شير اسپيني

Electronic Transport in Nanomagnetic Structures with Two Barrier and Spin-Valve

در اين مقاله با استفاده از فرمول بندي كلديش، ترابرد الكترون در يك چند لايه اي مغناطيسي متشكل از دو سد پتانسيل كه در بين آنها ساختار شير اسپيني قرار گرفته و مجموعه بين دو الكترود فرو مغناطيس واقع شده، بررسي شده است . براي اين ساختار مقاومت مغناطيسي بر حسب ولتاژ باياس، محاسبه شده است . نتايج به خوبي نشان ميدهد كه مقاومت مغناطيسي تونلي در اين ساختار به سبب تونل زني تشديدي مقدار نسبتاً بزرگي است .

Based on Keldish formalism, electronic transport in a magnetic multi-layers consisting of two potential barriers with a spin valve structure in between, and also Magneto-Resistance of the structure have been investigated. For this structure Tunneling Magneto Resistance versus bias voltage has been calculated. Results clearly show that the Tunneling Magneto Resistance (TMR) of such a structure due to resonant tunneling is relatively high in magnitude