شبيه سازي مونتو كارلو از خواص ترابرد الكترون ها در ترانزيستور اثر ميدان SiC براي طراحي مدارات با بهره هاي بالا

Modeling of a SiC MESFET for High-Gain Device Applications

شبيه سازي مونتو كارلو براي ترابرد الكترون ها در حالات پايدار ترانزيستور اثر ميدان ساخته شده از ماده SiC انجام پذيرفته است . مشخصه هاي ترابرد الكترون ها و نمودار I-Vبراي ترانزيستور شبيه سازي شده توافق خوبي را با نمونه هاي آزمايشگاهي نشان مي دهد . مشخصه هاي خروجي جريان درين بر حسب ولتاژ اعمالي به درين - سورس نشان دهنده اندازه جريان خروجي بزرگي براي نمونه شبيه سازي شده است .

Steady state electron transport in SiC field effect transistor has been simulated using an ensemble Monte Carlo simulation. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters described for the experimental structures as closely as possible, and the predicted I-V and transfer charateristics for the intrinsic devices show fair agreement with the available experimental data