اثر طول گيت بر روي فركانس قطع و منيمم نويز ترانزيستورهاي اثر ميدان AlGaN/GaN

The Effect of Gate Length on the Cut off Frequency and noise of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMTs)

در اين مقاله يك مدل تحليلي براي فركانس قطع و منيمم نويز ترانزيستورهاي اثر ميدان با تحرك پذيري بالاي الكتروني AlGaN/GaN ارائه شده كه قادر مي سازد بطور دقيق اثر طول گيت را بر فركانس قطع و مينيمم نويز بدست آوريم . در اين مدل زير باندهاي كوانتمي پر ونيمه پر چاه كوانتمي دو بعدي ، بهمراه تركيبي از حل معادله شرودينگر و پواسون و وارد كردن اثر حالتهاي تله هاي الكتروني ، جريان در سد AlGaN ، جريان كل گيت و دماي كانال چاه كوانتمي دو بعدي منظور شده است . نتايج حاصله از مدل تطابق خوبي با داده هاي تجربي موجود براي ساختار HEMT دارد.

An analytical model for cut off frequency and minimum noise of AlGaN/GaN in HEMTs has been developed in this paper that is capable of accurately predicting the effect of gate length on the cut off frequency and minimum noise. Salient futures of the model are incorporated of fully and partially occupied sub-bunds in the interface quantum well .In addition current in the barrier of AlGaN, traps density field in AlGaN,gate leakage , interface trap in the device are also take in to account . The calculated model results are in very good agreement with existing experimental data for HEMTs device