شماره ركورد كنفرانس :
3216
عنوان مقاله :
تاثير ساختار سيليكون متخلخل با ديواره نانو متري و ميكرو متري بر پاسخ دهي و كارآئي كوآنتومي آشكارساز PtSi/ porous Si
عنوان به زبان ديگر :
Effect of Nano and Micro porous structure on Spectral response and Quantum efficiency of Ptsi/P-si on porous silicon
پديدآورندگان :
آخوندي خضر آباد محمدصادق دانشگاه صنعتي مالك اشتر - گروه مهندسي برق , جعفري ميترا دانشگاه صنعتي مالك اشتر - گروه مهندسي برق
كليدواژه :
ساختار سيليكون متخلخل , ديواره نانومتري , ميكرومتري , پاسخ دهي , كارآئي كوآنتومي , آشكارساز PtSi/ porous Si , فيزيك
سال انتشار :
شهريور 1386
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۶
چكيده فارسي :
استفاده از سيليكون متخلخل به عنوان راهكاري جهت افزايش كارآئي كوآنتومي آشكارساز حرارتي PtSi/Si پيـشنهاد شـده اسـت، در ايـن گـزارش نمونـه هـاي . استفاده شده است و نتايج مورد بررسي قرار گرفته است PtSi/p-Si سيليكون متخلخل در ابعاد ديواره نانومتري و ميكرومتري جهت ساخت آشكارساز ديود شاتكي با اندازهِ پاسخ طيفي گيريِ نمونه ها، نمونه با تخلخل ميكرومتري به طول موجهاي 1/5-2μm بيشترين پاسخ طيفي را دارا بـود، در حاليكـه ِ نمونـه هـايي بـا تخلخـل نانومتري به طول موجهاي 4/5-5μmو 1/5-2μm حساستر مي باشند . همچنين كارآ ئي كوآنتومي نمونه با تخلخل نانوئي در طول موجهاي كوچكتر از 2/5μm و بزرگتر از 4/5μm بيشتر از نمونه با تخلخل ميكرومتري مشاهده شد . . جابجايي آشكارسازي طيفي در نمونه هاي متخلخل به افزايش تراكم ترازهـاي سـطحي، شدت ميدان الكتريكي در ناحيه تهي، عمق تخلخل، و باز مهندسي ترازها در نمونه ها مربوط مي شود .
چكيده لاتين :
Using porous silicon is suggested for increasing the quantum efficiency of Ptsi/Si thermal detectors, in this article Nano and Micro wall porous samples are used to fabricate PtSi/Si schottky detectors and the results are analyzed. By measuring spectral response of the samples, it observed that Micro porous sample has the most spectral response to1/ 5 − 2μm wavelengths, in case Nano porous sample is more sensitive to1/ 5 − 2μm and 4 / 5 − 5μm wavelengths ,In addition quantum efficiency of Nano sample for the wavelengths smaller than 2 / 5μmand larger than 4 / 5μm is more than micro porous sample. Wavelength shift of maximum spectral response of the samples is related to the increase of surface state accumulations, increase of surface states, electrical field in depletion region, prosing process and position of states in samples
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت