اثر ناخالصي هاي مغناطيسي روي ترابرد قطبيده شده اسپيني در يك سيم كوانتومي

The effect of magnetic impurities on spin-polarized transport in a quantum wire

در اين مقاله اثرهاي ناشي از پيكربندي هاي اسپيني جايگزيده كه به طور كتره اي در جايگاههاي اتمي درون يك سد عايق پراكنده شده اند , بر روي ترابرد الكتريكي وابسته به اسپين بررسي مي شود . از اين پيكربندي هاي جايگزيده مي توان به عنوان ناخالصي هاي مغناطيسي تعبير كرد . حضور و عدم حضور ميدان مغناطيسي خارجي , به دليل اثر مسقيمي كه بر روي جهت گيري گشتاورهاي مغناطيسي ناخالصي ها مي گذارد , مي تواند نتايج متفاوتي به دست دهد كه مورد بررسي قرار گرفته است . از نتايج عددي مشخص است كه تعداد ناخالصي هاي مغناطيسي كه جايگاه هاي انرژي درون سد را اشغال كرده اند به شدت قطبش اسپيني و مقاومت مغناطيسي را تحت تاثير قرار مي دهد . سد با الكترودهاي نانوكريستالي كه با ساختار مكعبي ساده توصيف مي شوند , از چپ و راست احاطه شده است . محاسباتمان مبتني بر مدل بستگي قوي و روش تابع گرين در فرمولبندي لاندائور بوده است . نتايج بدست آمده مي تواند براي طراحي نسل جديد ادوات الكترونيكي مفيد باشد.

In this paper the electrical spin dependent transport is concentrated in considering the effects of spin localized configurations spread out within an insulating barrier on its atomic sites of energy. These localized configurations may be interpreted as magnetic impurities. Some different possible results because of its directly effect on magnetic impurities make strengthen the essence of reviewing in the presence or absence of an external magnetic field. It may observe by numerical results that the number of magnetic impurities occupied the energy levels within the barrier influences the spin polarization (SP) and magnetoresistance (MR) noticeably. This pointed barrier covered by two nano crystal leads (electrodes) described by simple cubic structure from left and right. Our calculations are based on tight binding model and Green’s function method due to Landauer formula. These obtained results may apply for new age of electrical devices