بررسي پاشندگي پلاريتون سطحي مگنتو پلااسمون در ابر شبكه هاي آلائيده - غير آلائيده GaN-AlN

Investigation of surface magnetoplasmon polariton in doped-undoped GaN-AlN superlattices

تنسور دي الكتريك محيط مؤثر ابر شبكه براي شرح پاسخ نـوري ابـر شـبكه نيمرسـاناي آلائيـده - غيـر آلائيـده GaN-AlN در ميـدان مغناطيسي خارجي بكار برده شده است . منحني پاشند گي پلاريتون سطحي مگنتوپلاسمون براي ابـر شـبكه هـاي آلائيـده - غيـر آلائيـده GaN-AlN محاسبه شده است . خواص پلاريتون سطحي براي هندسه هاي عمودي ( ميدان مغناطيسي اعمال شده عمود بر سـطح لايـه ها مي باشد ) و فاراده ( ميدان مغناطيسي موازي سطح لايه ها و بردار عبور مي باشد ) به تفصيل مورد بحـث قـرار گرفتـه اسـت و نتـايج بدست آمده با يكديگر مقايسه شده اند . منحني هاي پاشنگي محاسيه شده براي ابر شبكه هـاي آلائيـده - غيـر آلائيـده GaN-AlN بـه تغييرات ميدان مغناطيسي اعمال شده و كسر حجمي لايه آلائيده حساس مي باشند .

The effective medium dielectric tensor of a superlattice is employed to describe optical response of doped-undoped GaN-AlN semiconductor superlattice in a external magneto-static field. The dispersion relations of surface magnetoplasmon polariton are calculated for doped –undoped GaN-AlN superlattices. The properties of surface polaritons have been consider in detail for perpendicular (the applied magnetic field perpendicular to interfaces) and Faraday (magnetic filed is parallel to interface and along the propagation vector) geometry and the obtained results are compared with together. The calculated dispersion curves for doped-undoped GaN-AlN superlattices are sensitive to variation of the applied magnetic field and the volume fraction of the doped constituent