ساختار نواري تك لايه هاي InxGa1-xNyAs1-y و بررسي خصوصيات اپتيكي آنها

Band Structure of InGaNAs Epilayers and Investigation of Their Optical Properties

عنصر كوچك نيتروژن به دليل الكترونگاتيوي بالا، با مشاركت در ساختار InGaAs عامل اساسي خصوصيالت جالب اپتيكي ساختارهاي InGaNAs مـي باشـد . در درصد مورد بررسي قرار گرفته است و نتايج حاصل با استفاده از طيف نمـايي فتولومينـسانس نيـز 1 و 0/7 با مقدار نيتروژن InGaNAs اين مقاله نيز تك لا يه ها ي نشان داده شده است . از جمله آن كاهش گاف نواري تك لايه با حضور نيتروژن است كه بدين ترتيب مي توان با تغيير ميزان نيتروژن، در گستره طول مـوجي مـورد احتياج براي ارتباطات مخابراتي از طريق فيبر نوري ( محدوده 1/3-1/55 ميكرون ) ، گسيل نوري داشته باشيم و به عنوان يك پارامتر فعال، درصد نيتـروژن بـه همـراه نوع ساختار اين نيمه رسانا، تغييرات طول موجي را براي ما امكان پذير مي سازند . علاوه بر اين، به دليل ناهموتريهاي سطحي بـه وجـود آمـده در سـاختار ، از بـازده نوري نمونه كاسته م ي شود . همچن ين حضور افت و خيزهاي سطحي جايگزيدگي اكسيتونها را نيز سبب مي شود كه با استفاده از تغييرات شدت نـور گـسيلي مـي توان به حضور آنها پي برد.

Small atomic size and high electro negativity of Nitrogen is the main reason of interesting optical properties of InGaNAs structures. In this paper the photoluminescence spectroscopy of InGaNAs epilayers have been studied that shows some optical properties of samples due to incorporation of a very small amount of nitrogen in InGaNAs. The near-band age PL exhibited a red shift with increasing of N because of decreasing of band-gap in these structures. Moreover with exceeding of N content the optical efficiency of samples decreases, therefore PL intensity of spectra to be reduced. Also the localization of excitons in these samples has been shown by PL at different excitation powers