بررسي خواص فونون اپتيكي و حامل هاي آزاد در چاه كوانتومي چند تائي نيمرساناي شبه مغناطيسي CdTe-Cd1-xMnxTe

Investigation of optical phonon modes and free carriers properties of semimagnetic semiconductorCdTe-Cd1-xMnxTe multiple quantum wells

در اين مقاله ما خواص مد هاي فونون اپتيكي عرضي و طولي و حامل هاي آزاد را در چاه كوانتومي چند تائي CdTe-Cd1-xMnxTe در حـضور ميـدان مغناطيـسي بـه موازات سطح لايه ها را با استفاده از رهيافت محيط موثر مگنتوپلاسما مورد بررسي قرار مي دهيم . نظر به اينكه بيناب بازتابش فروسرخ براي پرتـو پلاريـزه s مـستقل از بسامد سيكلوتروني و در نتيجه مستقل از ميدان مغناطيسي است، فقط بازتابش پرتو پلاريـزه p را مـورد بررسـي قـرار داده ايـم . بـراي محاسـبه مـدهاي فونـوني Cd1-xMnxTe از روش MREI استفاده شده است . از اطلاعات بدست آمده از بيناب فروسرخ پلاريزه و از وابستگي بسامد سيكلوتروني به ميد ان مغناطيسي و جرم مؤثر حامل هاي جريان، مي توان براي محاسبه جرم موثر سيكلوتروني حامل ها ، تراكم بارهر دو نوع حامل ( الكترون و حفره ) و قابليت تحرك در نمونه ها استفاده نمود.

In this work, we investigated the transverse and longitudinal optical phonons modes and electronic properties of semimagnetic semiconductor CdTe-Cd1-xMnxTe multiple quantum wells in the presence of magnetic field parallel to surface of layers (Voigt geometry) by using the effective medium magnetoplasmon approach. Since, far infrared reflection spectra for S- polarization ray is independence of cyclotron frequencies and as a result is independent from magnetic field, so we investigated only p- polarized magneto reflection spectra. Modified random element isodisplacement (MREI) method is used to calculate the optical phonon modes of Cd1-xMnxTe layer. Also, we can be used from data obtain from reflectivity and dependence of cyclotron frequencies to effective mass and carrier concentration to determine the cyclotron effective mass and carrier concentration of both species of carriers (electron and hole) in the samples