تأثير پخت حرارتي بر مقاومت الكتريكي و ساختار فيزيكي لايه هاي شبه الماس كربني با نفوذ مس ساخته شده به روش RF-PECVD

Annealing effect on electrical resistivity and physical structure of the Cu-DLC films deposition by RF-PECVD technique

براي ساخت لايه هاي نازك كربن شبه الماس بي ريخت با ناخالصي فلز از روش انباشت از فاز بخار شيميايي با استفاده از پلاسماي ناشي از امواج راديويي (RF ) و وارد كردن گاز استيلن استفاده كرديم . بدين ترتيب لايه هاي نازك كربن – مس را (Cu-DLC ) بر روي زير لايه ي سيليكن و شيشه رشد داديم . پس از ساخت، لايه ها در دماهاي متفاوت وزمان ثابت در حضور گاز آرگون با فشار اتمسفر باز پخت شدند . سپس به كمك طيف سنجي امواج ايكس (XRD) ، پس پراكندگي راترفورد (RBS) ، AFM و مقاومت سنجي ( four probe) قبل و بعد از پخت ب ررسي شدند . مشاهده شد كه با تغييرفشار اوليه مي توان لايه هايي با مقاومت الكتريكي متفاوت داشت، با افزايش دما در باز پخت نمونه ها، ضخامت، مقاومت الكتريكي و زبري سطح كاهش مي يابد . در ضمن افزايش دما تا حدي باعث رشد نانو دانه هاي مس مي گردد .

Diamond like carbon (DLC) thin films with Cu impurity were made from acetylene by RF plasma chemical vapor deposition method on silicon and glass substrates with different deposition pressures. In this work we study the annealing effect on the properties of the Cu-DLC films. Films were annealed in Ar atmosphere at different temperatures (200°C, 300°C, and 400°C) for 30 min. RBS and XRD spectra and AFM from the made films were used to study the carbon surface density, the carbon /copper atomic ratio , thickness, Cu nano structure and surface roughness. Collected information reveals that increasing in annealing temperature decreases thickness, electrical resistivity and surface roughness and from other hand increases Cu Nano Structure