تاثير گرم كننده جانبي فعال روي ميدان هاي دما و تنش گرمايي در بلور sapphire در رشد به روش چكرالسكي

Influence of active afterheater on temperature and thermal stress fields in sapphire crystal in Czochralski growth

تاثير يك گرم كننده جانبي فعال روي ميدان دما در يك بلور sapphire در حال رشد از مذاب، بوسيله حل معادله هدايت گرمايي از طريق محاسبات عددي و برخي ملاحظات تجربي مورد بررسي قرار مي گيرد . نشان داده مي شود كه در سيستم داراي گرم كننده جانبي فعال ( رسانا ) ، تغييرات ميدان دما نسبتا خطي بوده و گراديان محوري دما روي محور تقارن بلور، مقدار نسبتا ثابتي دارد . در اين حالت، تنش هاي گرمائي كمتري در بلور رشد يافته بوجود مي آيد.

Influence of an active afterheater on temperature field in a sapphire crystal in growth from the melt is investigated by solving heat conduction equation through numerical computations and some experimental considerations. It is shown that in a Czochralski system with an active afterheater, variation in the temperature field is mostly linear and the axial temperature gradient along the axis of symmetry is constant. In this case, minimum thermal stress appears in the grown crystal