انرژي همدوسي و خواص الكتروني بلور حالت جامدfcc-C60

Cohesive energy and electronic properties of fcc-C60 solid states

انرژي همدوسي حالت جامد C60 كه در ساختار fcc متبلور مي شود را با حل مستقيم دسته معادلات تك ذره كوهن - شم به روش فيزيكي پتانسيل كامل - امواج تخت بهبود يافته خطي شده (FP-LAPW) برابر با 1/537 eV محاسبه كردهايم . كوچك بودن مقدار اين انرژي بيانگر نيروي ضعيف . را محاسبه و آنها را با يكديگر مقايسه كردهايم C60 و خوشه fcc-C60 وان دروالس بين خوشه هاي بلور است . چگالي حالت هاي الكتروني بلور پهناي گاف بلوري را با تقريب شيب تعميم يافته (GGA) برابر با 0/7 eV به دست آورده ايم . چگالي حالت هاي اشغال نشده وجود گاف هاي متعددي را در ساختار الكتروني اين بلور نشان مي دهد .

Cohesive energy of the solid state C60 which crystallizes in the fcc prototype structure has been calculated to be a small value of 1.537 eV by solving directly the set of single particle Kohen-Sham equation employing the physical method of the full-potential linearized augmented plane waves plus local semicore orbital (FPLAPW+ LO). The calculated small value for the cohesive energy can be taken as an indication to the fact that the C60 clusters in crystalline environment are bonded together by the Van der Waals forces. The density of states has been calculated for both cases of solid state fcc-C60 and a single cluster of C60 out of any crystalline environment and the results of these two cases have been compared. We obtained within the generalized gradient approximation (GGA) a value of 0.7eV for the band gap in fcc-C60. Our unoccupied density of states shows periodically several gaps among the conduction bands of this compound