كاربرد ترانزيستور اثر- ميدان نانو لوله كربني به عنوان حسگر در تحليل مدارهاي مجتمع

Application of Carbon Nanotube Field-Effect Transistor as sensor in analyzing of integrated circuits

هدف از پژوهش حاضر ارائه مدلي براي ترابرد جريان در ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني به منظور به كارگيري در تحليل رديابي مواد شيميايي است. براي اين منظوراز يك مدل عددي كارا با در نظر گرفتن اثر نانو جوش فراصوتي روي رفتار ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربني استفاده كرديم. نتايج ما نشان داد كه مشخصات جريان -ولتاژ وابستگي شديدي به زاويه پيچش و قطر نانولوله دارد. هم چنين محاسبات ما دلالت بر ان دارد كه سنسورهاي با اساس ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربني به عنوان قطعاتي مينياتوري پيشرفته و فوق حساس و با توان بسيار پايين بسيار نويد دهنده مي باشند.

The purpose of this investigation is to develop a current-transport model for carbon nanotube field effect transistor (CNFET) applicable in the analysis of detection of chemical material. We implemented an efficient numerical model of a carbon nanotube field-effect transistor (CNFET) with regard to ultrasonic nanowelding treatment. Our results have shown a strong dependence of the I-V characteristics on the wrapping angle and diameter of carbon nanotubes. Also our calculations have indicated that CNTEFTs based sensors are promising compact ultra-sensitive and ultra low-power advanced miniaturized sensors in comparison to conventional sensors