محاسبه مد نقص در موجبر بلور فوتوني دو بعدي در محيطي با سه ضريب شكست متفاوت

Computation of Band Structure for 2D Photonic Crystal Waveguide GaAs with plane wave expansion method

در اين مقاله مد نقص در موجير بلور فوتوني دو بعدي در دو مورد حلقه هاي استوانه اي از جنس گاليم آرسنايد در زمينه هوا ؛ و پوسته اي توخالي (هوا) در زمينه كاليم آرسنايد با يك رديف نقص و سه رديف نقص خطي به عنوان هسته موجبر در مد TE با استفاده از روش بسط موج تخت در يك شبكه مربعي محاسبه كرده ايم. محاسبات مربوط به فريب دي الكتريك گاليم آرسنايد در دو حالت استاتيك و فركانس بالا انجام گرديده است. بنا به نتايج به دست آمده، با افزايش تعداد نقص خطي از يك به سه تعداد مدهاي هدايتي موجبر افزايش مي يابند.

In this paper, we study band structure of the 2D square lattice photonic crystal waveguide GaAs by using plane wave expansion method .Computations for dielectric constant of GaAs carried out for two cases, static and high frequency. First, we compute the band structure for E polarization (TE modes), then the influence of defect number of waveguide analyses on the band structure. Our results show that with increase of defect number of rows, the number of guiding modes of waveguide increases