مقايسه ي مورفولوژي و خواص الكتريكي نانو ساختارهاي TiO2/PSi ساخته شده با سيليسيوم تك بلوري و چند بلوري

A Comparison of Morphology and Electrical Properties of Mono and MultiCrystalline TiO2/PSi/Si Nanostructures

در اين پژوهش لايه هاي سيليسيوم متخلخل با ويفر هاي سيليسيوم تك بلوري و چند بلوري ساخته شدند. با تغيير چگالي جريان و تغيير زمان آنوديزاسيون، نمونه هاي با درصد تخلخل هاي مختلف ساخته شدند و لايه هاي نازك دي اكسيد تيتانيوم به روش تبخير با باريكه ي الكتروني بر روي سيليسيوم متخلخل نشانده شدند. براي بررسي ساختار بلوري لايه هاي دي اكسيد تيتانيوم از آناليز XRD استفاده شد. مورفولوژي لايه هاي سيليسيوم متخلخل به روش SEM مورد بررسي قرار گرفت. در نهايت خواص الكتريكي نمونه هاي چند لايه اي TiO2/PSi ساخته شده با ويفر هاي سيليسيوم تك بلوري و چند بلوري با هم مقايسه شدند.

In this study PSi layers were formed on monocrystalline silicon and multicrystalline silicon wafers. The samples with different porosity were prepared by changing the current density and anodization time, and electron beam evaporation was employed for TiO2 deposition. The XRD analysis was used to study the crystalline structures of TiO2 layers. The morphology of PSi layers were investigated by SEM method. Finally we compared electrical properties of TiO2/PSi based on monocrystalline silicon and multicrystalline silicon wafers