بهبود حسگري سنسور هيدروژن ديود شاتكي با بكار بردن لايه عايق بين فلز و نيمرسانا

Improve Sensing of Schottcky Diode Hydrogen Sensor With Appling Insulator Layer Between Metal and Semiconductor

در اين مقاله از ديود شاتكي Pd / GaN به عنوان سنسور گاز هيدروژن استفاده شده است، با بكار بردن لايه عايق Ga2O3 - بين فاز پالاديوم (Pd) و ماده نيمرساناي گاليوم نيتريد (GaN) در ساختار سنسور هيدروژن ملاحظه شده است كه تغيير در ارتفاع سد شاتكي براي غلظت هاي مشابه هيدروژن بزرگتر بوده و ، 10 و nm 60 بكار رفته است و نتيجه گرفته شده است كه هر چه ضخامت موجب بهبود حساسيت حسگري سنسور خواهد شد. لايه عايقي با ضخامت هاي مختلف لايه عايق كمتر باشد. عملكرد حسگري سنسور بهتر خواهد بود.

In this paper Pd/GaN schottcky diode use as hydrogen gas sensor. We can see that change in schottcky barrier height is larger for similar hydrogen concentration with appling Ga2O3 - insulator layer between Pd and GaN. The insulator layer applyed with 4, 15, 60 nm thicknesses and concluded that sensor has better performance for smaller insulator layer thickness