مطالعه اثرات سنسوري ميدان مغناطيسي روي ساختار الكتروني نانو لوله هاي كربني توسط روش هاي تنگ بست و K.P

Study Sensor Effect of Magnetic Field on Electronic Structure of CNTs by Tightbinding and K.P Methods

در اين مقاله، استفاده از نانو لوله به عنوان يك نانو سنسور در اندازه گيري ميدان مغناطيسي از طريق ساختار باند خود اطراف سطح فرمي مورد بررسي قرار گرفته است. باند انرژي نزديك سطح فرمي در يك ميدان مغناطيسي موازي توسط روش تنگبست محاسبه شده است و صحت درستي روش K.P مورد بررسي قرار گرفته است.تغيير حساس CNT از فلز به نيمه فلز با توجه به ساختارشان به خوبي دوباره بدست آمده است. در نهايت ما بدست آورديم كه گاف باند به طور معكوس متناسب با قطر نانو لوله است.

The application of nanotube as a nanosensor in measuring magnetic field through its band structure around the Fermi level is investigated in this paper. The Energy bands near the Fermi level in a parallel magnetic field are calculated by Tight-binding method and validity of K.P method is examined. A sensitive change of CNT from metal to semiconductor depending on its structure is well reproduced. Finally, we obtained that the band gap is inversely proportional to the nanotube diameter