طراحي گيت C - NOT بر پايه خواص نوري يك نقطه كوانتومي نيم رسانا

Designing of Controlled-NOT gate based on optical properties of a semiconductor quantum dot

در اين تحقيق با محاسبه طيف اكسيتوني و دواكسينوني در يك نقطه كوانتومي نيمرساناي GaAs چگونگي امكان طراحي يك گيت كوانتومي با استفاده از خواص نوري اين سيستم مورد بررسي قرار گرفته است. نشان داده شده است كه با كنترل نوري تابع موج همدوس اكسيتون و دو- اكسيتون محبوس شده در يك نقطه كوانتومي و همچنين با انتخاب دوره تناوب و شكل پالس مناسب براي ليزر فرودي، مي توان گيت كنترلي دو كيوبيتي C - NOT NOT، طراحي كرد.

In this work, by calculation of exciton and biexciton spectrum in the GaAs quantum dot the possibility of the designing of a quantum gate has been investigated based on optical properties of quantum dot. it has been shown that wave function engineering with the specific choices for shape and duration of a laser pulse in the quantum dot will lead to have a controlled-NOT operation