مقاومت مغناطيسي تونل زني بر مبناي مدل تنگ بست در ساختار Fe-MgO-Fe

Tunneling magnetoresistance based on single-band tight-binding approximation for Fe-MgO-Fe structures

در اين مقاله، چگونگي تاثير اتصال عايق مغناطيسي MgO به دو الكترود فرو مغناطيس Fe با ساختار bcc بر روي خواص ترابرد الكتريكي بررسي مي شود. خواص مي باشد. براي اين منظور در راستاي Fe - MgO - Fe ترابرد وابسته به اسپين شامل جريان الكتريكي، قطبش اسپين و مقاومت مغناطيس تونل زني (TMR) در ساختار عبور، هاميلتوني وابسته به اسپين را براي نوارهاي تقارني تعيين كرده و با استفاده از رهيافت تابع گرين در چارچوب بستگي قوري وابستگي كميات مورد نظر به ولتاژ خارجي را مطالعه مي كنيم. نتايج مستخرج از محاسباتمان ممكن است در طراحي ادوات اسپينترونيكي مفيد باشد.

In this work, spin-dependent transport properties are investigated in a single-crystal magnetic tunnel junction (MTJ) which consists of two semi-infinite electrodes separated by an MgO insulating barrier. For this reason, we propose a theoretical model for these devices based on a single-band tight-binding approximation in an effective one dimensional. In the transport direction, spin dependent Hamiltonian is prescribed for Δ1 and Δ5 bands. The transmission is calculated by Green's function formalism. Our numerical results may be useful for designing of spintronic devices