محاسبه و بررسي تحليلي ظرفيت الكتريكي نانو ترانزيستورها با تحرك پذيري بالاي الكتريكي ALGAN / GAN

Analytical Survey of electric capacitance in ALGAN/GaN high electron mobility nanotransistors

يك مدل كنترل بار تحليلي فشرده و صحيح براي يافتن ظرفيت گيت مطرح شده است. تغيير پاميلي فرمي غير خطي با تراكم حامل ورقه بخاطر شركت قطبيت پيزوالكتريك و قطبيت خود به خود در پيوند ناهمگن مدت همچنين بررسي مي شوند. برجستگي ويژه مدل طرح شده، حل همزمان دستگاه معادلات شرودينگرو پواسون مي باشد. مدلي وابسته به توليد شكل است و شامل هيچ پارامتر متناسب نيست. تنظيم اطلاعات محاسبه شده با شبيه سازي هاي آزمايشگاهي، درستي و عملكرد مدال را اثبات مي كند. با توجه به نظر مي بردند تحقيق اطلاعات مورد نياز از طريق مقالات و كتاب هاي مربوطه مي باشد.

An analytical model for finding gate capacitance of Aln Gaz-m N/Gay in presented. Salient features of the model are incorpo rated of fully and partially occupied sub-bands in the interface quantum well, combined with a self-consistent solution of the Schrodinger and poisson equations. The calculated model results are in very good agreement with exusting experimental data fo ALGan GaN based HEMTS device