شبيه سازي اثر زمان واهلش بين ترازي بر چگالي حامل و فوتون و توان خروجي ليزر نيمه رساناي نقطه كوانتومي InAs/GaAs

Simulation of the influence of inter level relaxation time on carrier and photon density and output power for semiconductor InAs/GaAs quantum dot laser

در اين مقاله معادلات آهنگ ليزر نيمه رساناي نقطه كوانتومي InAs/GaAs بصورت عددي با استفاده از روش رانگ –كوتا مرتبه چهار به منظور بررسي تأثير زمان واهلش بين ترازي بر چگالي حامل و توان خروجي ليزر محاسبه مي شوند. از شبيه سازي ها درمي يابيم كه كاهش در زمان واهلش بين ترازي باعث افزايش يافتن توان خروجي تراز حالت پايه مي شود؛ همچنين افزايش در زمان واهلش بين ترازي منجر به كاهش يافتن چگالي جريان آستانه و افزايش يافتن توان خروجي آن مي شود.

In this paper the rate equations of semiconductor InAs/GaAs quantum dot laser are calculated numerically by using forth-order Runge-Kutta method to consider the influence of inter level relaxation time on carrier density and output power of laser. it can be seen from simulations that reduction in the inter level relaxation time causes output power of ground state (GS) increases; also increasing in the inter level relaxation time, leads to threshold current density of exited state (ES) decreases and its output power increases