تأثير ميدان الكتريكي بر انرژي بستگي ناخالصي در نقاط كوانتمي چندتايي متقارن GaN

Effect of electric field on impurity binding energy in symmetrical multiple quantum dots GaN

در اين مقاله نخست انرژي بستگي ناخالصي واقع در موقعيت هاي مختلف نقاط كوانتمي چندگانه متقارن GaN در تقريب جرم مؤثر و با استفاده از روش وردشي محاسبه شده است. سپس با اعمال ميدان الكتريكي خارجي به سيستم ، تأثير آنرا بر انرژي بستگي معين نموده ايم. نتايج بيانگر ماكزيمم انرژي بستگي بازإ مكان هاي ناخالصي واقع در مركز نقاط مي باشد . اعمال نيروي الكتريكي سبب جا به جايي قله هاي انرژي بستگي مي شود.

In this paper, impurity binding energy of symmetric multiple quantum dots in terms of impurity position is calculated using the variational method and the effective mass approximation. The impurity binding energy under electric field is also calculated. The binding energy has a maximum value for on-center impurity and the peaks of the binding energy are shifted due to the electric field