مطالعه خواص ساختاري و الكتروني LisAlAs

Electronic and Structural Properties of Li3AlAs2

در اين مطالعه، يك بررسي كامل از ويژگي هاي ساختاري و الكتروني نيمرساناي تتراهدرال LizAlAs2 در چارچوب نظريه تابعي چگالي انجام گرفته است. مطالعات تجربي در مورد ويژگي هاي ساختاري اين تركيب شامل تعيين موقعيت اتم هاي Al و As است و تا كنون هيچ مطالعه اي براي تعيين موقعيت اتمهاي Li صورت نگرفته است. به همين دليل هيچگونه مطالعه نظري در مورد اين تركيب گزارش نشده است. در اين مطالعه ابتدا موقعيت اتم هاي تشكيل دهنده اين تركيب با به حداقل رساندن ميزان نيروي وارد بر يون ها محاسبه شده و سپس ويژگي هاي الكتروني اين تركيب مورد بررسي قرار گرفته است. پارامتر هاي شبكه محاسبه شده و همچنين موقعيت اتم هاي تشكيل دهنده اين تركيب در توافق بسيار خوبي با نتايج تجربي است. چگالي حالت هاي اتم هاي تشكيل دهنده اين تركيب نشان مي دهد كه سهم عمده چگالي حالتها ناشي از اوربيتال هاي S و p اتم هاي آرسنيد است. محاسبات ساختار نواري اين تركيب بيانگر وجود يك گاف نواري مستقيم به اندازه eT/1 است .

A detailed analysis of the electronic and structural properties of filled tetrahedral semiconductor Li3AlAs2 has been performed within the density function theory. Experimental information about the structural properties, involves the positions of Al and As and there is no information about the position of Li, so there is no theoretical study about this compound till now. The interactional forces between atoms were minimized and with this way the electronic properties of Li3AlAs2 have been studied. The calculated lattice constants and internal coordinations of atoms agree well with the experimental results. The study of total and partial electronic DOS indicate the main contribution of DOS consists of As 4p and As 4s states .Our band structure calculation verifies Li3AlAs2 is a direct gap semiconductor with a value of about 1.49eV at Г point