شماره ركورد كنفرانس :
3333
عنوان مقاله :
بررسي خواص الكترونيكي تركيب آلي فتالوسيانين (C32H18N8) با استفاده از اصول اوليه
عنوان به زبان ديگر :
The study of electronical properties of Phthalocyanine (C32H18N8) using first principle
پديدآورندگان :
فقيهي زرندي آرزو دانشگاه حكيم سبزواري - گروه فيزيك , باعدي جواد دانشگاه حكيم سبزواري - گروه فيزيك
كليدواژه :
خواص الكترونيكي , تركيب آلي فتالوسيانين , اصول اوليه , تقريب شيب تعميم يافته , GGA , نظريه تابعي چگالي
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۹۱
چكيده فارسي :
در اين مقاله برخي خواص الكتروني از جمله ساختار نواري، چگالي حالت ها، چگالي ابر الكتروني و گاف انرژي تركيب(C32H18N8) بر اساس اصول اوليه، 2/45eV محاسبه شده كه با مقدار تجربي 2/6eV هم خواني دارد. محاسبات به روش امواج تخت تقويت شده خطي (FP-LAPW) در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) با تقريب شيب تعميم يافته انجام شده است(GGA).
چكيده لاتين :
In this paper some electronical properties such as Band structure, Density of state, Density of electron and Energy gap of Phthalocyanine (C32H18N8 ) have been calculated. The calculations were performed in the frame of density functional theory(DFT),using the full potential linearized augmented plane wave(FP-LAPW) method with the generalized gradient approximation GGA
